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EGL41B/1
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
-
卷带式 (TR)
4000
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EGL41B/1
EGL41B/1
单二极管
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱DO-213AB, MELF (Glass)
安装类型Surface Mount
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr)50 ns
技术Standard
电容@Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)1A
供应商设备包DO-213AB
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)100 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1 V @ 1 A
电流 - 反向漏电流@Vr5 µA @ 100 V

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