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CEDM8001VL TR PBFREE
MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883VL
-
卷带式 (TR)
8000
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CEDM8001VL TR PBFREE
CEDM8001VL TR PBFREE
单 FET、MOSFET
Central Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883VL
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
类型描述
制造商Central Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱SC-101, SOT-883
安装类型Surface Mount
工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
功耗(最大)100mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1.1V @ 250µA
供应商设备包SOT-883VL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.5V, 4V
Vgs(最大)10V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.66 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds45 pF @ 3 V

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