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CDF56G6511N TR13 PBFREE
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
-
卷带式 (TR)
2500
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CDF56G6511N TR13 PBFREE
CDF56G6511N TR13 PBFREE
单 FET、MOSFET
Central Semiconductor
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
-
卷带式 (TR)
2461
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Central Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C11.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs190mOhm @ 3.9A, 6V
功耗(最大)1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 12.2mA
供应商设备包8-DFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7V, -1.4V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.8 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds96 pF @ 400 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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