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BY25Q128ESWIG(R)
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
卷带式 (TR)
3000
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BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
卷带式 (TR)
2999
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (5x6)
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8

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