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BY25D16ASSJG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
卷带式 (TR)
4000
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BY25D16ASSJG(R)
BY25D16ASSJG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小16Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 105°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页2.4ms
内存接口SPI - Dual I/O
存取时间7 ns
记忆组织2M x 8

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