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BSC105N15LS5ATMA1
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
5000
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BSC105N15LS5ATMA1
BSC105N15LS5ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
3500
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列OptiMOS™ 5
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs10.5mOhm @ 40A, 10V
功耗(最大)2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.3V @ 91µA
供应商设备包PG-TDSON-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs23 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3000 pF @ 75 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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