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AT25EU0081A-SUN-T
8 MBIT, ULTRA LOW ENERGY, WIDE
-
卷带式 (TR)
2000
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AT25EU0081A-SUN-T
AT25EU0081A-SUN-T
记忆
Renesas Electronics Corporation
8 MBIT, ULTRA LOW ENERGY, WIDE
-
卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Renesas Electronics Corporation
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.65V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率100 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOIC
写入周期时间 - 字、页3ms, 3ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8

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