• image of 记忆>AS4C8M16MSB-6BIN
  • image of 记忆>AS4C8M16MSB-6BIN
AS4C8M16MSB-6BIN
IC DRAM 128MBIT LVCMOS 54FBGA
-
托盘
319
image of 记忆>AS4C8M16MSB-6BIN
image of 记忆>AS4C8M16MSB-6BIN
AS4C8M16MSB-6BIN
AS4C8M16MSB-6BIN
记忆
Alliance Memory, Inc.
IC DRAM 128MBIT LVCMOS 54FBGA
-
托盘
319
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
包装托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱54-TFBGA
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.7V ~ 1.95V
技术SDRAM - Mobile SDRAM
时钟频率166 MHz
内存格式DRAM
供应商设备包54-FBGA (8x8)
写入周期时间 - 字、页15ns
内存接口LVCMOS
存取时间5.5 ns
记忆组织8M x 16

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

captcha

+86-13288788831

点击这里给我发消息
0