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AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
-
卷带式 (TR)
3000
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AS3401
AS3401
单 FET、MOSFET
Anbon Semiconductor
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
-
卷带式 (TR)
58763
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Anbon Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4.4A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs55mOhm @ 4.4A, 10V
功耗(最大)1.2W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1.4V @ 250µA
供应商设备包SOT-23
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 10V
Vgs(最大)±12V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs7.2 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds680 pF @ 15 V

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