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AOT12N60FD
N
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卷带式 (TR)
1000
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AOT12N60FD
AOT12N60FD
单 FET、MOSFET
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
N
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卷带式 (TR)
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产品参数
产品说明
类型描述
制造商Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs650mOhm @ 6A, 10V
功耗(最大)278W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-220
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs50 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2010 pF @ 25 V

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