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ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
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管子
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ALD212900APAL
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FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
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管子
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C80mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds30pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs14Ohm
场效应管特性Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id10mV @ 20µA
供应商设备包8-PDIP

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