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ALD210800PCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
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管子
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FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
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管子
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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型Through Hole
配置4 N-Channel, Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C80mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds15pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs25Ohm
场效应管特性Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id20mV @ 10µA
供应商设备包16-PDIP

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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