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DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
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1000
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单二极管
EIC Semiconductor, Inc.
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
-
38000
1
产品参数
产品说明
类型描述
制造商EIC Semiconductor, Inc.
系列-
包装
产品状态ACTIVE
包装/箱DO-204AL, DO-41, Axial
安装类型Through Hole
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr)2 µs
技术Standard
电容@Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)1A
供应商设备包DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)400 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.1 V @ 1 A
电流 - 反向漏电流@Vr5 µA @ 400 V

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