产品详情
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
-
卷带式 (TR)
2000
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TP65H070G4QS-TR
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP65H070G4QS-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 29 A GAN FET
-
卷带式 (TR)
0
1
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V

长期收购IC芯片、二三极管、电子物料、工厂库存、代理库存、工厂呆滞料,专业团队核算BOM表清单,总单打包。国内外均可交货

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